Design and simulation of InGaN/GaN p-i-n photodiodes - Université Polytechnique des Hauts-de-France
Poster Année : 2017

Design and simulation of InGaN/GaN p-i-n photodiodes

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Optique / photonique Acoustique [physics.class-ph]

Julie Cagniard  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://uphf.hal.science/hal-03552772

Soumis le : mercredi 2 février 2022-14:19:48

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03552772 , version 1 (02-02-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03552772 , version 1

Citer

Mourad Elbar, Bandar Alshehri, Souad Tobbeche, El Hadj Dogheche. Design and simulation of InGaN/GaN p-i-n photodiodes. 12th International Conference on Nitride Semiconductors ICNS-12, Jul 2017, Strasbourg, France. 2018. ⟨hal-03552772⟩

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