Electro-optical analysis of 30% InGaN/GaN MQW LED devices - Université Polytechnique des Hauts-de-France
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Electro-optical analysis of 30% InGaN/GaN MQW LED devices

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Optique / photonique Acoustique [physics.class-ph]

Julie Cagniard  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://uphf.hal.science/hal-03552932

Soumis le : mercredi 2 février 2022-15:06:02

Dernière modification le : vendredi 7 juin 2024-03:22:36

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03552932 , version 1 (02-02-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03552932 , version 1

Citer

Kutsal Bozkurt, Orhan Özdemir, Neslihan Ayarci Kuruoğlu, Bandar Alshehri, Karim Dogheche, et al.. Electro-optical analysis of 30% InGaN/GaN MQW LED devices. 10th International Conference on Materials for Advanced Technologies, ICMAT 2019, Jun 2019, Marina Bay Sands, Singapore. ⟨hal-03552932⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UNIV-VALENCIENNES IEMN UNIV-PARIS-SACLAY UNIV-LILLE UP-SCIENCES GS-PHYSIQUE INSTITUT-SCIENCES-LUMIERE INSA-HAUTS-DE-FRANCE C2N
31 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More