Study of Zn(Sn,Ge)N2 for optoelectronic applications - Université Polytechnique des Hauts-de-France
Poster Année : 2017

Study of Zn(Sn,Ge)N2 for optoelectronic applications

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Optique / photonique Acoustique [physics.class-ph]

Julie Cagniard  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://uphf.hal.science/hal-03553042

Soumis le : mercredi 2 février 2022-15:48:32

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03553042 , version 1 (02-02-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03553042 , version 1

Citer

N. Fèvre, Nathaniel Feldberg, Patrice Miska, El Hadj Dogheche, C. Licitra, et al.. Study of Zn(Sn,Ge)N2 for optoelectronic applications. 12th International Conference on Nitride Semiconductors ICNS-12, Jul 2017, Strasbourg, France. ⟨hal-03553042⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UNIV-VALENCIENNES IEMN UNIV-LILLE
16 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More