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Année : 2016
Julie Cagniard : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://uphf.hal.science/hal-03553190
Soumis le : mercredi 2 février 2022-16:32:20
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-03553190 , version 1
Citer
Bandar Alshehri, Karim Dogheche, Didier Decoster, El Hadj Dogheche. Synthesis of In0.1Ga0.9N/GaN and In0.2Ga0.8N/GaN PIN photodiode in single and multiple quantum well absorbent layer configuration : fabrication and characterization. 15èmes Journées Nano, Micro et Optoélectronique, JNMO 2016, May 2016, Les Issambres, France. ⟨hal-03553190⟩
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