GaN-based SSD structure for THz applications - Université Polytechnique des Hauts-de-France Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

GaN-based SSD structure for THz applications

Résumé

We report on the growth optimization of GaN-based self switching diode (SSD) structure on SiC, designed using Monte Carlo simulations, for the fabrication of nano-scale SSDs to reach THz emission as a result of Gunn oscillations. Crack-free epistructure with good epi-characteristics and uniformity on 2-inch SiC substrate was achieved. High carrier density of 2×10 18 cm -3 resulted in a low contact resistance of 0.35 Ω.mm.

Mots clés

Fichier principal
Vignette du fichier
APMC2019a (1).pdf (561.08 Ko) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-04039379 , version 1 (21-03-2023)

Identifiants

Citer

Manvi Agrawal, Dharmarasu Nethaji, K Radhakrishnan, Christophe Gaquière, Guillaume Ducournau, et al.. GaN-based SSD structure for THz applications. 2019 IEEE Asia-Pacific Microwave Conference (APMC 2019), Dec 2019, Singapour, Singapore. pp.213-215, ⟨10.1109/APMC46564.2019.9038338⟩. ⟨hal-04039379⟩
16 Consultations
12 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More