Sub-Micron Thick GaN-on-Si HEMTs with More than 7.5 MV/cm Buffer Breakdown Field - Université Polytechnique des Hauts-de-France
Communication Dans Un Congrès Année : 2022

Sub-Micron Thick GaN-on-Si HEMTs with More than 7.5 MV/cm Buffer Breakdown Field

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-03681838

Soumis le : lundi 30 mai 2022-15:38:01

Dernière modification le : mardi 4 juin 2024-13:26:03

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03681838 , version 1 (30-05-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03681838 , version 1

Citer

Elodie Carneiro, Stephanie Rennesson, Sébastian Tamariz, Fabrice Semond, F Medjdoub. Sub-Micron Thick GaN-on-Si HEMTs with More than 7.5 MV/cm Buffer Breakdown Field. WOCSDICE EXMATEC 2022, May 2022, Ponta Delgada, Portugal. ⟨hal-03681838⟩

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