Growth of metallic TaSe2 on GaP(111)B substrates - Université Polytechnique des Hauts-de-France
Poster Année : 2024

Growth of metallic TaSe2 on GaP(111)B substrates

Corentin Sthioul
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN
Yevheniia Chernukha
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1289090
Physique - IEMN
Houda Koussir
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1289089
Physique - IEMN
Christophe Coinon
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Gilles Patriarche
Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies
Louis Thomas
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN
CV
Pascal Roussel
Unité de Catalyse et Chimie du Solide - UMR 8181
CV
Bruno Grandidier
Physique - IEMN
CV
Pascale Diener
Physique - IEMN
Xavier Wallart
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN

Domaines

Physique [physics] Sciences de l'ingénieur [physics]
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Xavier Wallart  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-04730929

Soumis le : vendredi 11 octobre 2024-15:19:47

Dernière modification le : dimanche 13 octobre 2024-03:12:29

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Dates et versions

hal-04730929 , version 1 (11-10-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04730929 , version 1

Citer

Corentin Sthioul, Yevheniia Chernukha, Houda Koussir, Christophe Coinon, Gilles Patriarche, et al.. Growth of metallic TaSe2 on GaP(111)B substrates. 23rd International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2024), Sep 2024, Matsue, Japan. . ⟨hal-04730929⟩

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